ag亚洲国际官方网站_AG网站是多少_注册手机版账号

江苏ag亚洲国际纳米装备科技无限公司

/ 产物手艺 / 半导体

半导体

ag亚洲国际ALD和PEALD手艺,用于下一代微纳电子器件制作


对微处置器和存储器的计较速率和功率须要的延续增添, 同时又下降其功耗和尺寸,使得半导体器件制作承受着愈来愈大的挑衅。出格是在“后摩尔定律”时期, 纳米级器件布局须要薄膜的堆积和去除切确节制在原子层级别。原子层堆积(ALD)手艺已衍变成为下一代新型器件制作计谋中的关头手艺,并使摩尔定律得以进一步延长。

ag亚洲国际的原子层堆积(ALD)、等离子体原子层堆积(PEALD)手艺是原子级薄膜堆积处理计划的关头手艺,可普遍用于晶体管、存储器、图案化、金属互连和3D封装等利用。自有专利设想的反映器确保包含450mm在内的多种尺寸晶圆上的薄膜堆积到达极限保型性得平均度。ag亚洲国际的龙系列团簇平台由多各工艺腔与市场进步前辈的贸易晶圆主动化体系集群而成, 为尖端半导体制作供给原子级薄膜堆积工艺完全的处理计划。
 





龙系列高等ALD薄膜体系

ag亚洲国际龙系列高等ALD薄膜堆积体系公用于200、300和450mm晶圆工艺的单片量产ALD镀膜装备。具备热ALD、等离子体ALD和原子层蚀刻等多种型号,与支流贸易主动化团簇平台集群。自有专利设想的反映器能够堆积多种资料,并确保极限保形和平均的ALD薄膜堆积。产物具备高度薄膜平均度、高产能、高靠得住性和高性价比等特色。

可制备工艺:
氧化物:SiO2 , Al2O3 , HfO2 , ZrO2 , Ta2O5 , Nb2O5 , TiO2 , ZnO , SrTiO3
氮化物:TiN , Ta2N5 , AlN , WN , SiNx*
碳化物:TiC , WC , TaC , TaNC
单金属:Ru , Pt , Au , Cu , W , Ta* , Co* , Ni*
* PEALD
温度规模:室温-500ºC
晶圆尺寸:200、300和450mm





Copyright©2016 江苏ag亚洲国际纳米科技股分无限公司 版权一切 All Rights Reserved.